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IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻 低栅极电荷

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-40V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage
最大漏极电流IdDrain Current-3.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.112Ω @-3.4A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsUltra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带和卷轴 低栅极电荷
规格书PDF
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