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IRFR3704 N沟道MOSFET 20V 7.5A TO-252/D-PAK marking/标记 FR3704 电池管理/电池保护

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current7.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance9.5Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.0-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation90W
Description & ApplicationsHEXFET Power MOSFET High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use Applications High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power 100% RG Tested High Frequency DC-DC Isolated Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial use Applications High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power 100% RG Tested Lead-Free
描述与应用HEXFET®功率MOSFET 描述 第五代HEXFETs国际整流器采用先进的加工技术,以实现极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处, 结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计,HEXFET功率MOSFET是众所周知的,为设计师提供了一个非常有效的 和可靠的装置,用于在各种各样的应用中。 D-PAK是专为表面安装使用气相,红外或波峰焊技术。直引线型(IRFU系列)是通孔安装的应用程序。有可能在典型的表面贴装应用的功耗水平,直至到1.5瓦。 表面贴装 先进的工艺技术 超低导通电阻 动态dv/ dt额定值 快速切换
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