| 反向电压VrReverse Voltage | 30V |
| 平均整流电流IoAVerage Rectified Current | 30mA |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) | 1V |
| 最大耗散功率PdPower dissipation | |
| Description & Applications | • Schottky Barrier Diodes (SBD) • Silicon epitaxial planar type • For switching • For wave detection • Low forward voltage VF and good wave detection efficiency η • Small temperature coefficient of forward characteristic • Small reverse current IR • Mini type 3-pin package |
| 描述与应用 | •肖特基势垒二极管（SBD） •硅外延平面型 •对于开关 •波检测 •低正向电压VF和良好的波检测效率η •温度系数小的正向特性 •小反向电流IR •迷你型3-pin封装 |
