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MIC94031YM4TR P沟道MOS场效应管 -6V 1.8A 0.125ohm SOT-143 marking/标记 P31 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-6V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-6V
最大漏极电流IdDrain Current-1.8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.125 @-100mA,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.2V
耗散功率PdPower Dissipation568mW/0.568W
Description & ApplicationsFeatures • 0.125Ω typical on-resistance at 4.5V gate-to-source voltage • Operates with 1.8V gate-to-source voltage • Separate substrate connection allows reverse-blocking
描述与应用•0.125Ω的导通电阻的典型 在4.5V栅极至源极电压 •使用1.8V的栅 - 源电压 •独立的基板连接允许反向阻断
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