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NE32584C-T1 MESFET-N沟道 4V 20mA-90mA -0.2V -- -2.0V + marking/标记 D 高频应用

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage4V
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage-3V
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current20mA-90mA
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage-0.2V -- -2.0V
耗散功率PdPower Dissipation165mW/0.165W
Description & ApplicationsHETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER Super Low Noise Figure & High Associated Gain
描述与应用异质结型场效应晶体管 C到Ku波段超低噪声放大器 超级低噪声系数和高相关的收益
规格书PDF
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