我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

NTD40N03RT4 N沟道MOSFET 25V 3.8A TO-252/D-PAK marking/标记 T40N03 小功率损耗/低的RDS

热销商品

产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage25V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.045Ω/Ohm @6A,10V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation22.3W
Description & ApplicationsPower MOSFET 45 Amps, 25 Volts N−Channel DPAK N-Channel DPAK Features • Planar HD3e Process for Fast Switching Performance • Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss • Low Ciss to Minimize Driver Loss • Low Gate Charge • Optimized for High Side Switching Requirements in High-Ef ficiency DC-DC Converters
描述与应用•的平面HD3e过程快速开关性能 •低的RDS(on) 减少传导损耗 •低西塞 最小化驱动器损失 •低栅极电荷 •优化高侧开关的要求 高效率的DC-DC转换器
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号  技术支持: 奇点网络 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00