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NTR1P02T1 P沟道MOS场效应管 -20V -2.4A 0.07ohm SOT-23 marking/标记 P2 低导通电阻 1.8V驱动

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-2.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.07Ω @-1.6A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.40--1.5V
耗散功率PdPower Dissipation730mW/0.73W
Description & ApplicationsFeatures • Leading −20 V Trench for Low RDS(on) • −1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive • SOT−23 Surface Mount for Small Footprint • Pb−Free Package is Available
描述与应用•领导-20 V沟道低的RDS(on) •-1.8 V额定低电压栅极驱动 •SOT-23表面贴装小尺寸 •无铅包装是可用
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