RSF014N03 N沟道MOSFET 30V 1.4A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 PN 高速开关
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 1.4A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.24Ω/Ohm @1.4A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.0-2.5V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 800mW/0.8W |
| Description & Applications | 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOSFET Low On-resistance. Space saving, small surface mount package (TUMT3). 4V drive. |
| 描述与应用 | 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOSFET 低导通电阻。 节省空间，小型表面贴装封装（TUMT3）。 4V驱动器 |
| 规格书PDF |
