我的订单
分享到：
当前位置：首页 > 现货库存 > 商品详情

SI2303BDS P沟道MOS场效应管 -30V -1.4mA 0.150ohm SOT-23 marking/标记 L3

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-1.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.150Ω @-1.7A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation750mW/0.75W
Description & ApplicationsP-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道30-V（D-S）的MOSFET
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号：粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00