SI2306DS N沟道MOSFET 30V 3.5A SOT-23/SC-59 marking/标记 A6 低导通电阻
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 3.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.057Ω/Ohm @3.5A,10V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.25W |
| Description & Applications | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET 100% Rg Tested |
| 描述与应用 | N沟道30-V（D-S）的MOSFET 功率MOSFET 100％的Rg测试 |
| 规格书PDF |
