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SI2323DS-T1 P沟道MOS场效应管 -20V -4.7A 0.031ohm SOT-23 marking/标记 D3 功率MOSFET

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-4.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.031Ω @-4.7A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.4V-1.0V
耗散功率PdPower Dissipation1.25W
Description & ApplicationsFEATURES TrenchFET Power MOSFET
描述与应用功率MOSFET
规格书PDF
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