SI3434DV N沟道MOSFET 30V 4.6A SOT-163/SOT23-6/TSOP-6 marking/标记 超高速开关/内置栅极保护二极管/DMOS结构式
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 4.6A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 50mΩ@ VGS =2.5V, ID =2A |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.6V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 1.14W |
| Description & Applications | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Trench FET Power MOSFET Applications Li-lon Battery Protection |
| 描述与应用 | N沟道30-V（D-S）的MOSFET沟槽FET功率MOSFET 应用 锂离子电池保护 |
| 规格书PDF |
