我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

SI3445 P沟道MOS场效应管 -8V -5.6A 80毫欧 SOT-163 marking/标记 45

热销商品

产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-8V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-8V
最大漏极电流IdDrain Current-5.6A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance80mΩ@ VGS = -1.8V, ID = -2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.45~-1V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
描述与应用P沟道1.8-V(G-S)的MOSFET
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00