SI4334DV n沟道MOSFET+肖特基二极管 SOT163 代码 G34
| 场效应管类型 | N沟道场效应管 |
| MOS最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
30V |
| MOS最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±12V |
| MOS最大漏极电流Id Drain Current |
14.8A |
| MOS源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
VGS = 4.5 V, ID = 8 A RDS=0.0132~0.016Ω |
| MOS开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.7v |
| 二极管类型 | 肖特基二极管 |
| DIODE反向电压Vr Reverse Voltage |
30V |
| DIODE平均整流电流Io Average Rectified Current |
2A |
| DIODE最大正向压降VF Forward Voltage(Vf) |
|
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
5.2w |
| 描述与应用 Description & Applications |
|
| 技术文档PDF下载 | 在线阅读 |
| 规格书PDF |
