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SSM3K09FU N沟道MOSFET 20V 400mA/0.4A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DJ ESD保护/低导通电阻/高速开关

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.8Ω/Ohm @200mA,4V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.6-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications • Small package • Low on resistance : Ron = 0.8 Ω max (@VGS = 4 V) Ron = 1.2 Ω max (@VGS = 2.5 V) • Low gate threshold voltage Absolute Maximum Rati
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =0.8Ω最大(@ VGS=4 V) 罗恩= 1.2Ω最大(@VGS= 2.5 V) •低栅极阈值电压 绝对最大慧慧
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