UPA1915TE P沟道MOS场效应管 -20V 4.5A 0.045ohm SOT-163 marking/标记 TH 4V驱动 低导通电阻
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -4.5A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 0.045Ω @-2.5A,-4V |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -0.5--1.5V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | FEATURES • Can be driven by a 4 V power source • Low on-state resistance RDS(on)1 = 57 mΩ MAX. (VGS = –10 V, ID = –2.5 A) RDS(on)2 = 86 mΩ MAX. (VGS = –4.5 V, ID = –2.5 A) RDS(on)3 = 96 mΩ MAX. (VGS = –4.0 V, ID = –2.5A) |
| 描述与应用 | •可驱动4 V的电源 •低通态电阻 的RDS（on）1 =57mΩ最大。 （VGS=-10V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）2 =86mΩ最大。 （VGS= -4.5 V，ID=-2.5 A） 的RDS（on）=96mΩ最大。 （VGS= -4.0 V，ID=-2.5A） |
| 规格书PDF |
