UPA606T 双N 沟道场效应管 60V 0.1A SOT163 代码 MA
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
50V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
100MA/0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
VGS = 4.0 V, ID = 10 mA RDS=19~30Ω
VGS = 10 V, ID = 10 mA RDS=15~25Ω
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd Power Dissipation |
0.3W |
| 描述与应用 Description & Applications |
n沟道MOS场效应晶体管(六脚2电路)的切换
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