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SI1900DL-T1-E3 复合场效应管 30V 590mA/0.59A SOT-363/SC70-6 marking/标记 PBS

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current590mA/0.59A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance700mΩ@ VGS =4.5V, ID =200mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage1V
耗散功率PdPower Dissipation270mW/0.27W
Description & ApplicationsDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用双N沟道30-V（D-S）的MOSFET
规格书PDF
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