ES6U42 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -20V -1A 500mA/0.5A 0.52V SOT-563/WEMT6 marking/标记 U42 高速开关/低驱动电压
| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | P沟道 P-Channel |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | -20V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -12V |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | -1A |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | 390mΩ@ VGS =-4.5V, ID =-1A |
| 耗散功率PdPower Dissipation | -0.7~-2.0V |
| Description & Applications | 肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes |
| 描述与应用 | 20V |
| 规格书PDF |
