我的订单
分享到:
当前位置:首页 > 现货库存 > 商品详情

TPCP8901 NPN+PNP复合三极管 100V/-50V 1A/-800mA 200~500/400~1000 PS-8 标记8901 用于开关/数字电路

热销商品

产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)100V/-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)50V/-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)1A/-800mA
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)200~500/400~1000
管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage170mV/-200mV
耗散功率Pc Power Dissipation830mW
Description & ApplicationsFeatures • TOSHIBA Transistor Silicon NPN / PNP Epitaxial Type (PCT Process) • Small footprint due to small and thin package • High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC = −0.1 A) :NPN hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1 A) • Low collector-emitter saturation : PNP VCE (sat) = −0.20 V (max) : NPN VCE (sat) = 0.17 V (max) • High-speed switching : PNP tf = 70 ns (typ.) : NPN tf = 85 ns (typ.) • Portable Equipment Applications • Switching Applications
描述与应用特点 •东芝晶体管的硅NPN/ PNP外延型(PCT工艺) •由于占地面积小,小而薄的包装 •高直流电流增益:PNP HFE=200〜500(IC= -0.1):NPN HFE=400至1000(IC=0.1 A) •低集电极 - 发射极饱和:PNP VCE(sat)=-0.20 V(最大值):NPN VCE(sat)= 0.17 V(最大值) •高速开关:PNP TF=70 ns(典型值):NPN TF=85 ns(典型值) •便携式设备的应用 •开关应用
规格书PDF
相关型号列表

备案/许可证号:粤ICP备14038557号  技术支持: 奇点网络 Copyright ©: 2017 爱瑞凯电子商城版权所有 并保留所有权利
客服电话0755-88869068
工作时间:周一至周六 8:00~22:00