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AM3457P P沟道场效应管 -30 -5A SOT-163/SOT23-6 marking/标记 577 快速开关 便携式计算

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage -30
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage 20V
最大漏极电流IdDrain Current -5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance 75mΩ@ VGS = -4.5V,ID = -3.6A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage 1V
耗散功率PdPower Dissipation 2W
Description & Applications P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed Typical Applications: • Battery Powered Instruments • Portable Computing • Mobile Phones • GPS Units and Media Players
描述与应用 P沟道30-V(D-S)的MOSFET 特点: •低RDS(ON)的沟槽技术 •低热阻抗 •开关速度快 典型应用: •电池供电的仪器 •便携式计算 •手机 •GPS装置和媒体播放器
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