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FSB649 NPN三极管 35V 3A 150MHz 100~300 600mV/0.6V SOT-23/SC-59 marking/标记 649 低饱和晶体管

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)35V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)25V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)3A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)100~300
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage600mV/0.6V
耗散功率PcPower Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsNPN Low Saturation Transistor high current gain
描述与应用NPN低饱和晶体管 高电流增益
规格书PDF
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