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SCH2810-S-TL-E 复合场效应管MOSFET+肖特基二极管 -12V -1.3A 500mA/0.5A 0.46V SOT-563/SCH6 marking/标记 QK 低导通电阻/超高速开关/反向恢复时间短/低正向电压

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source VoltageP沟道 P-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-12V
最大漏极电流IdDrain Current-12V
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance-1.3A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage270mΩ@ VGS =-10V, ID =-700mA
耗散功率PdPower Dissipation-1.0~-2.4V
Description & Applications肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
描述与应用15V
规格书PDF
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