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SI3495DV P沟道MOS场效应管 -20V -7A 0.020ohm SOT-163 marking/标记 95P 功率MOSFET 超低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流IdDrain Current-7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.020Ω @-7A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.35V-0.75V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsFEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET Power MOSFET: 1.5 V Rated • Ultra-Low On-Resistance • 100 % Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
描述与应用 •根据IEC 61249-2-21的无卤素 定义 •的TrenchFET 功率MOSFET:1.5 V额定 •超低导通电阻 •100%的Rg 测试 •符合RoHS指令2002/95/EC
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