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2SD2345JRL NPN三极管 50V 50mA 120MHz 400~800 50mV SOT-523/SC-75 marking/标记 1ZR 低频放大

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)40V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)120MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)400~800
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage50mV
耗散功率PcPower Dissipation125mW/0.125W
Description & ApplicationsSilicon NPN epitaxial planar type For low-frequency amplification Features High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) High emitter to base voltage VEBO. Low noise voltage NV
描述与应用NPN硅外延平面型 对于低频放大 特点 高正向电流传输比HFE。 低集电极到发射极饱和电压VCE(SAT) 高发射器基极电压VEBO。 低噪声电压NV
规格书PDF
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