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HN1A01FE-GR PNP+PNP复合三极管 -50V -150mA 120~400 SOT-563/ES6 标记D1G 用于开关/数字电路

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 -50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 -50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 -150MA/-0.15A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 80MHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 120~400
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 -0.3V
耗散功率Pc
Power Dissipation
 100MW/0.1W
描述与应用
Description & Applications
   东芝硅PNP晶体管外延类型(PCT过程)
  音频通用放大
  *小包装(双类型)
  *高电压、高电流
  :VCEO =?50 v,IC =?150 ma(max)
  *高放大:hFE = 120 ~ 400
  *优秀的hFE线性
  马:hFE(IC =?0.1)/ hFE(IC =?2 ma)= 0.95(typ)。
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