HN2C01FE-GR NPN+NPN复合三极管 60V 150mA HEF=200~400 SOT-563/ES6 标记L1G 用于开关/数字电路
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
150MA |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
60MHZ |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
200~400 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
0.1V |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
0.1W |
| 描述与应用 Description & Applications |
特点 •东芝晶体管的硅NPN外延型（PCT工艺） •小型封装（双类型） •高电压和高电流：VCEO= 50V，IC=150mA（最小值） •高HFE：HFE=120〜400 •优秀的HFE线性：HFE（IC=0.1毫安）/（IC =2毫安）= 0.95（典型值） •音频通用放大器应用 |
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