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SSM6K34TU N沟道MOSFET 30V 3A SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88/US6 marking/标记 KNC 低导通电阻/高速开关/低门槛/低栅极驱动器

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance77mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 2A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage1.3~2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Current Switching Applications Power Management Switch Applications • 4.5Vdrive • Low on resistance: :Ron = 77 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) :Ron = 50 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高电流开关应用 电源管理开关应用 •4.5Vdrive •低电阻:: RON =77MΩ(最大)(@ VGS= 4.5 V) :RON= 50MΩ(最大)(@ VGS=10 V)
规格书PDF
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