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SSM6N55NU 复合场效应管 30V 4A UDFN6B marking/标记 NN5 电源管理开关 DC/DC转换

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance46mΩ@ VGS = 10V, ID = 4000mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage1.3~2.5V
耗散功率PdPower Dissipation1W
Description & ApplicationsMOSFETs Silicon N-Channel MOS •Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) 4.5V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 46 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 64 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
描述与应用MOSFET的硅N沟道MOS •应用程序 •电源管理开关 •DC-DC转换器 2。特点 (1)4.5V栅极驱动电压。 (2)低漏源导通电阻  RDS(ON)= 46MΩ(最大)(@ VGS=10 V) RDS(ON)=64毫欧(最大值)(@ VGS=4.5 V)
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