2SK2855 N沟道场效应管 10V 1A SOT89 代码 UT 超高频带放大器
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
10V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
6V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
1A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
1.0~1.8V |
| 耗散功率Pd Power dissipation |
0.5W |
| 描述与应用 Description & Applications |
东芝硅N通道金属氧化物半导体场效应晶体管类型
超高频带放大器的应用
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| 规格书PDF |
