SSM4K27CT N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A cst4 marking/标记 SA 高速开关/低导通电阻/低栅极阈值电压
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 0.205Ω/Ohm @250mA,4V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.5-1.1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 400mW/0.4W |
| Description & Applications | Switching Applications • Small package • Low on-resistance: RDS(ON) = 205 mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) RDS(ON) = 260 mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = 1.8 V) |
| 描述与应用 | 开关应用 •小型封装 •低导通电阻RD（ON）=205MΩ（最大）（@ VGS=4.0 V） RDS（ON）=260MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） RDS（ON）=390MΩ（最大）（@ VGS=1.8 V） |
| 规格书PDF |
