RN2704JE PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -100mA HEF=80 R1=R2=47KΩ 100mW/0.1W SOT-553/ESV 标记YD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-100MA |
| 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 47KΩ |
| 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 47KΩ |
| 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) |
1 |
| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
80 |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
200MHZ |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
0.1W |
| 描述与应用 Description & Applications |
东芝硅PNP晶体管外延类型(PCT过程)(偏置电阻内置晶体管)
开关,逆变器电路、接口电路和
驱动电路的应用。
两个设备纳入Extreme-Super-Mini(5PIN)包中。
在晶体管中加入一个偏置电阻减少零件数。
减少零件数使生产更加紧凑
设备和保存组装成本。
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