2SK3325B-ZK-E2-AY n沟道DMOS结构场效应晶体管 500V 10A 代码 K3325B
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
500V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
30V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
10A |
| 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State |
0.65Ω~0.85Ω |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd Power dissipation |
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| 描述与应用 Description & Applications |
n沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管
低开态电阻
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| 规格书PDF |
