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TPCL4203 N沟道MOSFET 24V 6A 4-Chip LGA marking/标记 高速开关/低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage24V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.036Ω/Ohm @3A,4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSmall, thin package Low source-source on-resistance: RSS(ON) = 27 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V) Low leakage current: ISSS = 10 µA (max) (VSS = 24 V) Enhancement mode: Vth = 0.5 to 1.2 V (VSS = 10 V, IS = 200 µA) Common drain
描述与应用小型,薄型封装 低源源导通电阻:RSS(ON)= 27mΩ(典型值)(VGS=4.5 V) 低漏电流:ISSS=10μA(最大)(VSS=24V) 增强模式:VTH =0.5〜1.2 V(VSS= 10 V,IS=200μA)常见的漏
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