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结型N沟道复合场效应管 2SK2145-GR 50V 2.6mA~6.5mA SOT-153/SOT23-5/SOT-25/SMV 标记XG

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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-50V
最大漏极电流IdDrain Current2.6mA~6.5mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance-0.2V~-1.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage300mW/0.3W
耗散功率PdPower DissipationField Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications • Including two devices in SM5 • High |Yfs|: |Yfs| = 15 mS (typ.) at VDS = 10 V, VGS = 0 • High breakdown voltage: VGDS = −50 V • Low noise: NF = 1.0dB (typ.) at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, Rg = 1 kΩ • High input impedance: IGSS = −1 nA (max) at VGS = −30 V
Description & Applications场效应晶体管的硅N沟道结型 音频频率低噪声放大器的应用 •包括两个设备SM5 •高| YFS|:| YFS|= 15毫秒(典型值),在VDS=10V,VGS=0 •高击穿电压:VGDS=-50 V •低噪音:NF=1.0分贝(典型值) 在VDS= 10 V,ID=0.5毫安,F=1千赫,RG=1kΩ的 •高输入阻抗:在VGS=-30 V IGSS= -1nA(最大值)
描述与应用
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