TPCP8F01 PNP三极管+N沟道场效应管 PS-8 代码 8F01
| 三极管类型 Transistor Type | PNP |
| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-30V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-20V |
| 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-3.0A |
| 截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
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| 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
200~500 |
| 管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.19V |
| 场效应管类型 MOSFET TYPF | N 沟道 |
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
20V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
±10V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
100MA/0.1A |
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
ID = 10 mA, VGS = 4.0 V RDS=1.5~3Ω
ID = 10 mA, VGS = 2.5 V RDS=2.2~4Ω
ID = 1 mA, VGS = 1.5 V RDS=5.2~15Ω
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
0.6~1.1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
1W |
| 描述与应用 Description & Applications |
硅PNP型外延晶体管、场效应晶体管硅N通道MOS型
○Swtching应用程序
○负荷开关应用
○Multi-chip分立器件;内置PNP晶体管
主开关和N-ch MOS场效应晶体管驱动
高直流电流增益:hFE = 200 - 500(IC =-0.5A)
(PNP型晶体管)
低饱和:VCE(坐)=-0.19 V(max)
(PNP型晶体管)
高速开关:tf = 40 ns(typ。)(PNP型晶体管)
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| 规格书PDF |
