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产品描述
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-1.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.150Ω @-1.7A,-10V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation900mW/0.9W
Description & ApplicationsP-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用P沟道30-V(D-S)的MOSFET
规格书PDF
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