SSM3K7002BFU N沟道场效应管 60V 0.2A SOT323 代码 NM 高速开关 模拟开关 低导通电阻
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | ±20V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 200mA/0.2A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 3.3Ω ID=100 mA,VGS=4.5V |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1.5~3.1V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅣ) . * High-Speed Switching Applications . * Analog Switch Applications. * Small package . * Low ON-resistance : RDS(ON) = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) . : RDS(ON) = 2.6 Ω (max) (@VGS = 5 V) . : RDS(ON) = 2.1 Ω (max) (@VGS = 10 V) . |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（U-MOSⅣ）。 *高速开关应用。 *模拟开关应用。 *小型封装。 *低导通电阻RDS（ON）= 3.3Ω（最大）（@ VGS=4.5 V）。 RDS（ON）=2.6Ω（最大值）（@ VGS= 5 V）。 RDS（ON）=2.1Ω（最大值）（@ VGS=10 V）。 |
| 规格书PDF |
