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SSM3K7002BFU N沟道场效应管 60V 0.2A SOT323 代码 NM 高速开关 模拟开关 低导通电阻

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±20V
最大漏极电流Id Drain Current 200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance 3.3Ω ID=100 mA,VGS=4.5V
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage  1.5~3.1V
耗散功率Pd Power Dissipation 150mW/0.15W
Description & Applications TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSⅣ) . * High-Speed Switching Applications . * Analog Switch Applications. * Small package . * Low ON-resistance : RDS(ON) = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) . : RDS(ON) = 2.6 Ω (max) (@VGS = 5 V) . : RDS(ON) = 2.1 Ω (max) (@VGS = 10 V) .
描述与应用 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型(U-MOSⅣ)。 *高速开关应用。 *模拟开关应用。 *小型封装。 *低导通电阻RDS(ON)= 3.3Ω(最大)(@ VGS=4.5 V)。    RDS(ON)=2.6Ω(最大值)(@ VGS= 5 V)。    RDS(ON)=2.1Ω​​(最大值)(@ VGS=10 V)。
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