| 逻辑类型Logic Type |
与非门 NAND Gate |
| 电路数Number of Circuits |
4 |
| 输入数Number of Inputs |
2 |
| 电源电压VccVoltage - Supply |
2V~6V |
| 静态电流IqCurrent - Quiescent (Max) |
40uA |
| 输出高，低电平电流Current - Output High, Low |
-5.2mA，5.2mA |
| 低逻辑电平Logic Level - Low |
0.5V~1.8V |
| 高逻辑电平Logic Level - High |
1.5V~4.2V |
| 传播延迟时间@Vcc，CLMax Propagation Delay @ V, Max CL |
7ns @ 6V，50pF |
| Description & Applications |
Quad 2-input NAND gate；Features Input levels: For 74HC00: CMOS level For 74HCT00: TTL level ESD protection: HBM JESD22-A114F exceeds 2000 V MM JESD22-A115-A exceeds 200 V Multiple package options Specified from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C |
| 描述与应用 |
四路2输入与非门；特性 输入电平： 对于74HC00：CMOS电平 对于74HCT00：TTL电平 ESD保护： HBM JESD22-A114F超过2000 V MM JESD22-A115-A超过200 V 多种封装选项 从-40°C至+85°C和-40°C至+125°C |
