HB6N0530TU 复合场效应管 双N沟道 30V 500mA SOT-363F 华半特价
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
30V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
12V |
| 最大漏极电流Id Drain Current |
0.5A |
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)
Ron = 180mΩ (max) (@VGS = 2.5 V)
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| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
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| 耗散功率Pd Power Dissipation |
500MW |
| 描述与应用 Description & Applications |
高速开关应用
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