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DMN66D0LDW-7 双N沟道增强型场效应 60V 115MA SOT-363/SC70-6 标记 MN1ZN

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产品描述
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage
 60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage
 20V
最大漏极电流Id
Drain Current
 115MA
源漏极导通电阻Rds(on)
FET Drain-Source On-State Resistance
 VGS = 5.0V, ID = 0.115A 6Ω
开启电压Vgs(th)
Gate-Source Threshold Voltage
 2V
耗散功率Pd
Power Dissipation
 250MW
描述与应用
Description & Applications
  •双N沟道MOSFET •低导通电阻 •低栅极阈值电压 •低输入电容 •开关速度快 •小型表面贴装封装 •ESD保护门,1KV(HBM) •无铅/符合RoHS标准(注2) •符合AEC-Q101标准的高可靠性
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