DMN66D0LDW-7 双N沟道增强型场效应 60V 115MA SOT-363/SC70-6 标记 MN1ZN
| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage |
60V | |||||||||
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage |
20V | |||||||||
| 最大漏极电流Id Drain Current |
115MA | |||||||||
| 源漏极导通电阻Rds(on) FET Drain-Source On-State Resistance |
VGS = 5.0V, ID = 0.115A 6Ω | |||||||||
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage |
2V | |||||||||
| 耗散功率Pd Power Dissipation |
250MW | |||||||||
| 描述与应用 Description & Applications |
•双N沟道MOSFET | •低导通电阻 | •低栅极阈值电压 | •低输入电容 | •开关速度快 | •小型表面贴装封装 | •ESD保护门，1KV（HBM） | •无铅/符合RoHS标准（注2） | •符合AEC-Q101标准的高可靠性 | |
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