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DMN3033LDM-7N 沟道增强型MOSFET 30V 6.9A SOT-163/SM6/SOT-26 标记 NA5

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产品描述
最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		  30V
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		  20V
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		  6.9A
开启电压Vgs(th)   Gate Threshold Voltage   2.1v
耗散功率Pd
Power dissipation		  2W
描述与应用
Description & Applications		  •低栅极电荷 •低RDS（ON）： •33mΩ的@VGS=10V •40mΩ的@VGS=4.5V •低输入/输出泄漏 •铅的设计免费/ RoHS规定（注3） •符合AEC-Q101标准的高可靠性 •“绿色”设备（注4）
规格书PDF
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