| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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DMN22M5UFG-7 1个N沟道 20V 27A 3.5mΩ@2.5V
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DMN22M5UFG-7
标记：
封装：PowerDI3333-8
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DIODES(美台) |
批号：
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109
起订 |
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HYG017N04LS1C2 1个N沟道 40V 135A 2.8mΩ@4.5V
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HYG017N04LS1C2
标记：
封装：DFN-8(5.2x5.9)
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HUAYI(华羿微) |
批号：
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109
起订 |
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HCSD19533Q5A 100V 75A 7.5mΩ@10V 97W
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HCSD19533Q5A
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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109
起订 |
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HSTD20NF06LAG 60V 20A 32mΩ@10V 34.7W
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HSTD20NF06LAG
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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109
起订 |
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IPB200N25N3G 1个N沟道 250V 64A 20mΩ@10V
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IPB200N25N3G
标记：
封装：TO-263-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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109
起订 |
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FDMC3612-VB 100V 50A 10mΩ@10V 60W
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FDMC3612-VB
标记：
封装：DFN-8-EP(3x3)
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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109
起订 |
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RFD16N06LESM-VB 1个N沟道 60V 45A 3V
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RFD16N06LESM-VB
标记：
封装：TO-252
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VBsemi(微碧半导体) |
批号：
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109
起订 |
