| 商品描述 |
供应商型号 |
厂牌 |
说明 |
库存 |
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FDMS6673BZ-HXY 1个P沟道 30V 70A 14mΩ@4.5V
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FDMS6673BZ-HXY
标记：
封装：DFN-8L(5x6)
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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178
起订 |
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IRLR7821PBF-HXY 1个N沟道 30V 60A 9mΩ@10V
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IRLR7821PBF-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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178
起订 |
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SQD19P06-60L_GE3-HXY 1个P沟道 60V 30A 33mΩ@10V
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SQD19P06-60L_GE3-HXY
标记：
封装：TO-252-2L
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HXY MOSFET(华轩阳电子) |
批号：
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178
起订 |
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BSC265N10LSF G 1个N沟道 100V 40A 36mΩ@4.5V
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BSC265N10LSF G
标记：
封装：TDSON-8-EP(5x6)
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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178
起订 |
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IPN70R900P7S 700V 900mΩ@10V
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IPN70R900P7S
标记：
封装：SOT-223-3
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Infineon(英飞凌) |
批号：
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178
起订 |
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PHB32N06LT,118 1个N沟道 60V 34A 31.5mΩ@4.5V
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PHB32N06LT,118
标记：
封装：D2PAK
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Nexperia(安世) |
批号：
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178
起订 |
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SP10N90TG 900V 10A 1.25Ω@10V 41W
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SP10N90TG
标记：
封装：TO-220F
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Siliup(矽普) |
批号：
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178
起订 |
