商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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3SK297 N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 ZP 低噪声增益控制放大器/低电压操作 |
3SK297
标记:ZP 封装:SOT-143/MPAK-4 |
HITACHI | 0 | 立即订购 | |
3SK296ZQ-TL-E N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-343/CMPAK-4 marking/标记 ZQ 低噪声增益控制放大器/低电压操作 |
3SK296ZQ-TL-E
标记:ZQ 封装:SOT-343/CMPAK-4 |
RENESAS | 0 | 立即订购 | |
3SK293 N沟道MOSFET 12.5V 30mA SOT-343/SMQ/SC-61 marking/标记 UF 低噪声增益控制放大器/大功率增益 |
3SK293
标记:UF 封装:SOT-343/SMQ/SC-61 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 | |
3SK291 N沟道MOSFET 12.5V 30mA SOT-143/SOT-24/SC-61 marking/标记 UF 高级交叉调制性能/低反向传输电容/低噪声增益控制放大器 |
3SK291
标记:UF 封装:SOT-143/SOT-24/SC-61 |
TOSHIBA | 5200 | 立即订购 | |
3SK285 N沟道MOSFET 13V 30mA SOT-143 marking/标记 HV 高频场 |
3SK285
标记:HV 封装:SOT-143 |
Panasonic | 7800 | 立即订购 | |
3SK284 MESFET-N沟道 -6V 4mA-16mA -0.5V -- -1.5V SOT-343 marking/标记 U1 高频应用 |
3SK284
标记:U1 封装:SOT-343 |
TOSHIBA | 150 | 立即订购 | |
3SK274 MESFET-N沟道 -9V 6mA-20mA -0.7V -- -1.8V SOT-343 marking/标记 UN 高频应用 |
3SK274
标记:UN 封装:SOT-343 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 | |
3SK264-5 N沟道MOSFET 15v 30mA SOT-143/CP4 marking/标记 SJ5 低噪声增益控制放大器 |
3SK264-5
标记:SJ5 封装:SOT-143/CP4 |
SANYO | 2800 | 立即订购 | |
3SK263 N沟道MOSFET 15v 30mA SOT-143/CP4 marking/标记 RJ5 低噪声增益控制放大器 |
3SK263
标记:RJ5 封装:SOT-143/CP4 |
SANYO | 3000 | 立即订购 | |
3SK259 N沟道MOSFET 13.5V 30mA SOT-343/SMQ/SC-61 marking/标记 UI 低噪声增益控制放大器 |
3SK259
标记:UI 封装:SOT-343/SMQ/SC-61 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 | |
3SK255 N沟道MOSFET 18V 25mA SOT-143 marking/标记 U1G 低噪声增益控制放大器 |
3SK255
标记:U1G 封装:SOT-343 |
NEC | 0 | 立即订购 | |
3SK254 N沟道MOSFET 18V 25mA SOT-143 marking/标记 U1E 低噪声增益控制放大器 |
3SK254
标记:U1E 封装:SOT-143 |
NEC | 4590 | 立即订购 |