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3SK296ZQ-TL-E N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-343/CMPAK-4 marking/标记 ZQ 低噪声增益控制放大器/低电压操作

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产品描述
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage8V
最大漏极电流Id Drain Current25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage-0.5-0.5/0-1V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF amplifier Features •Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz •Capable of low voltage operation
描述与应用硅N沟道双栅MOS FET UHF RF放大器 •低噪声系数。 NF= 2.0 dB(典型值)在f =900 MHz的 •能够低电压操作
规格书PDF
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