商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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RW1E014SN N 沟道场效应管 30V 1.4A SOT563 代码 PN 低导通电阻、高开关速度 |
RW1E014SN
标记:PN 封装:SOT-563 |
ROHM | 6500 | 立即订购 |
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RSB5.6SM 双向瞬态抑制二极管 SOD-523/0603-5.6V 代码 O |
RSB5.6SM
标记:O 封装:SOD-523/0603-5.6V |
ROHM | 2000 | 立即订购 |
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SI5403DC P 沟道场效应管 -30V -6A 1206-8 代码 BQL |
SI5403DC
标记:BQL 封装:1206-8 |
VISHAY | 0 | 立即订购 |
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DRC9115T0L 带阻NPN三极管 增益100MA 50V R1=100K R2=- SOT-523 marking/标记 NT |
DRC9115TOL
标记:NT 封装:SOT-523 |
Panasonic | 300000 | 立即订购 |
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DRA9114E0L 带阻尼PNP三极管 100ma 50v r1=10 r2=10k SOT-523 MARKING;LB |
DRA9114E0L
标记:LB 封装:SOT-523 |
Panasonic | 2590 | 立即订购 |
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热敏电阻 TSM1A224JAF3R 220K 0603-220K |
TSM1A224JAF3R
标记: 封装:0603-220K |
THINKING | 8000 | 立即订购 |
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UPD120N33T1B
标记:7G 封装:SOT-89 |
NEC | 410 | 立即订购 | |
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SMCJ85A/57T 瞬态抑制二极管TVS/ESD 85V 10.9A DO-214AB/SMC-85V 标记GGV |
SMCJ85A/57T
标记:GGV 封装:DO-214AB/SMC-85V |
VISHAY | 2550 | 立即订购 |
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SSM3K17SU N沟道MOSFET SOT-323/USM/SC-70 marking/标记 DM |
SSM3K17SU
标记:DM 封装:SOT-323/USM/SC-70 |
TOSHIBA | 0 | 立即订购 |
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1SS393SU 共阴极肖特基二极管 40V 100mA/0.1A 540mV/0.54V SOT-323/SC-70/USM marking/标记 R9 低压降 高速开关 |
1SS393SU
标记:R9 封装:SOT-323/SC-70/USM |
TOSHIBA | 78000 | 立即订购 |
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RN1108FS 带阻NPN三极管 20V 50mA 22k 47k 增益120 FSM marking/标记 L7 开关 逆变电路 接口电路和驱动器电路应用 |
RN1108FS
标记:L7 封装:FSM |
TOSHIBA | 470000 | 立即订购 |
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SSM6J503NU P沟道MOS场效应管 -20V -600mA 0.0277ohm Vth:-0.8--1.0V UDFN6B marking/标记 SP3 电源管理开关 1.5V驱动 低导通电阻 |
SSM6J503NU
标记:SP3 封装:UDFN6B |
TOSHIBA | 240000 | 立即订购 |