| 商品图片 | 商品描述 | 型号 | 厂牌 | 库存数量 | 操作 |
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MAX13256ATB+T |
MAX13256ATB+T
标记： 封装：TDFN-10-EP(3x3) |
ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) | 94 | 立即订购 |
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SN6505BDBVT |
SN6505BDBVT
标记： 封装：SOT-23-6 |
TI(德州仪器) | 94 | 立即订购 |
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90266 笔记本散热器 428*318*53mm 金属+ABS 5V/1.5A MAX |
90266
标记： 封装：- |
UGREEN(绿联) | 94 | 立即订购 |
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TCMT1113 1.15V 50mA 3.75kV 1 |
TCMT1113
标记： 封装：SOIC-4-175mil |
VISHAY(威世) | 94 | 立即订购 |
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XT90(2+2)-M.G.Y 插头 40-50A |
XT90(2+2)-M.G.Y
标记： 封装：- |
AMASS(艾迈斯) | 94 | 立即订购 |
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IRM-45-12 |
IRM-45-12
标记： 封装：DIP,87x52mm |
MW(明纬) | 94 | 立即订购 |
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XB2-BA31C (ZB2BZ101C+ZB2BA3C) |
XB2-BA31C (ZB2BZ101C+ZB2BA3C)
标记： 封装：- |
施耐德 | 94 | 立即订购 |
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HIGLR60R260D1 1个N沟道 650V 160mΩ@6V |
HIGLR60R260D1
标记： 封装：DFN-8(5x6) |
HXY MOSFET(华轩阳电子) | 94 | 立即订购 |
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GC2M0160120K 1个N沟道 1200V 18A 125W |
GC2M0160120K
标记： 封装：TO-247-4 |
SUPSiC(国晶微半导体) | 94 | 立即订购 |
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GC2M0040120D 1个N沟道 1200V 55A 278W |
GC2M0040120D
标记： 封装：TO-247-3 |
SUPSiC(国晶微半导体) | 94 | 立即订购 |
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GC3M0060065D 1个N沟道 650V 29A 150W |
GC3M0060065D
标记： 封装：TO247-3 |
SUPSiC(国晶微半导体) | 94 | 立即订购 |
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SP90N120CTK 1个N沟道 1200V 135A 503W |
SP90N120CTK
标记： 封装：TO-247-4L |
Siliup(矽普) | 94 | 立即订购 |
