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2SD2167 NPN三极管 31V 2A 100MHz 56~180 250mV/0.25V SOT-89/SC-62/MPT3 marking/标记 DLP 功率晶体管

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产品描述
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 31V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 31V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 100MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 56~180
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 250mV/0.25V
耗散功率PcPower Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications *Power Transistor *features *Built-in zener diode between collector and base. *Zener diode has low voltage dispersion. *Strong protection against reverse power surges due to low loads. PC=2 W (on 40×40×0.7mm ceramic board)
描述与应用 *功率晶体管 特点 *内置的集电极和基极之间的齐纳二极管。 *齐纳二极管具有低电压分散。 *强逆功率保护潮  低负荷。  PC=2 W(40×40×0.7毫米的陶瓷板)
规格书PDF
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