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2SD2176 达林顿NPN Vcbo=50v Vceo=50v Ic=1.2A HEF=1000~20000，标记/MARK DQR

型号：2SD2176
标记/丝印/代码/打字：DQR
厂家：SANYO
批号：05+
封装：SOT-89
整包数量：1000
最小起批量：10
技术文档：

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产品描述

集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)	50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)	1.2A
截止频率fT Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)	1000~20000
管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage	1.0V~1.5V
耗散功率Pc Power Dissipation	1.3W
描述与应用 Description & Applications
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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
2SD2176 达林顿NPN Vcbo=50v Vceo=50v Ic=1.2A HEF=1000~20000，标记/MARK DQ	2SD2176 标记：DQ 封装：SOT-89	SANYO	批号：05+	1000 10起订
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2SD2185-R NPN三极管 50V 3A 110MHz 120~240 150mV/0.15V SOT-89/SC-62 marking/标记 IHR 低频输出放大	2SD2185-R 标记：1HR 封装：SOT-89/SC-62	Panasonic	批号：05+10r nopb 05+ROHS1100	22800 10起订
2SD2185-S NPN三极管 50V 3A 110MHz 170~340 150mV/0.15V SOT-89/SC-62 marking/标记 1HS 低频输出放大	2SD2185-S 标记：1HS 封装：SOT-89/SC-62	Panasonic	批号：05+ 05+ROHS700	4000 10起订
2SD2195 达林顿 NPN Vcbo=100v Vceo=100v Ic=2A HEF=1000~10000 SOT-89 标记/MARKING DP	2SD2195 标记：DP 封装：SOT-89	ROHM	批号：04+ROHS 04+	600 10起订
2SD2199R-TSD-DR NPN三极管 60V 7A 10MHz 100~200 400mV/0.4V SMP-FD marking/标记 D2199 开关	2SD2199R-TSD-DR 标记：D2199 封装：SMP-FD	SANYO	批号：05+	20 10起订

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